标准型DRAM持续提价

　　今年第三季度以来累计涨幅逾45%

　　受标准型DRAM（动态随机存储器）市场供不应求影响，4Gb DDR3/DDR4原厂颗粒现货价格持续上涨，10月至今平均涨幅已近15%，第三季以来累计涨幅高达45%至50%，模组价格10月涨幅也超过20%。由于三大DRAM厂家明年上半年之前无新增产能开出，明年第一季度前缺货问题难以缓解。

　　机构认为，三星、SK海力士、美光三大DRAM厂家，今年上半年将主要产能移转生产Mobile DRAM，导致下半年标准型DRAM供不应求。另外，下半年个人电脑市场销售情况已明显好于上半年，对标准型DRAM存储器需求构成支撑。

　　TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange报价显示， 8Gb DDR4原厂颗粒现货均价19日已涨至4.78美元，10月以来涨幅达10.4%，第三季度至今涨幅达31.7%，再创今年新高。此外，主流的4Gb DDR4原厂颗粒现货均价涨至2.48美元，10月以来涨幅达14.3%，第三季度以来涨幅达49.4%。4Gb DDR3原厂颗粒现货价格涨势同样强劲，19日平均报价已达2.42美元，10月以来涨幅达16.3%，第三季度至今涨幅达46.7%，两种规格DRAM价格已创一年来新高。

　　存储器作为半导体元器件的重要组成部分，全球市场规模近800亿美元，并呈现寡头垄断局面。去年全球半导体存储器的销售额为772 亿美元，在半导体市场的占比为23%，其中DRAM、NAND、NOR存储器的销售额分别为约410亿美元、300亿美元、30亿美元。三星、海力士和美光三家垄断了近95%的DRAM 市场份额，四大厂家垄断了99%的NAND 市场，前六大厂家垄断了90%的NOR市场，市场份额高度集中。

　　业内人士认为，由于存储器行业门槛较高，我国在传统存储器方面与国外差距较大，很难在短期内赶超。而在新型存储器方面，国内企业与海外差距较小，我国拥有自主知识产权的PCRAM 技术已取得突破，用于打印机的PCRAM存储器芯片年出货量超千万颗，发展具备自主知识产权的新型存储器将实现弯道超车。

　　集成电路作为信息安全自主可控的重要基础，已获得国家大基金等系列政策扶持。存储器方面，紫光集团和武汉新芯联手组建的长江存储科技有限责任公司，于7月26日在武汉东湖高新区正式注册成立。长江存储注册资本达到189亿元，一期、二期注册资本均由国家集成产业投资基金参与出资，布局3D NAND Flash等新型存储器领域。国家存储器项目的推进将加快该领域国产化进程，并给芯片设计、晶圆制造、封测等相关产业带来市场机遇。