上海市科学技术委员会发布2019年度“科技创新行动计划”集成电路领域项目申报指南

2019-05-13 14:36:46 来源:上海证券报·中国证券网 作者:

  上证报中国证券网讯 据上海市人民政府官方网站5月13日消息,为加快建设具有全球影响力的科技创新中心,进一步提升集成电路领域科技创新能力,加快突破集成电路领域核心关键技术,上海市科学技术委员会特发布2019年度“科技创新行动计划”集成电路领域项目指南。

  具体内容如下:

  一、征集范围

  专题一、关键核心产品技术攻关

  方向1.集成电路制造装备、材料及零部件

  研究目标:研制具有国际竞争力的重大集成电路装备及关键零部件产品,突破和掌握集成电路制造高端装备系统设计、集成和应用关键技术,持续提升集成电路高端装备的零部件配套能力。

  研究内容:(1)集成电路高端装备用关键零部件研发、验证与应用。(2)面向集成电路领域激光隐性切割技术研究与工艺验证。(3)硅片晶圆标识技术研究与验证(4)高能离子注入机关键技术研究与样机验证。(5)10nm铜化学机械抛光液及14nm大马士革工艺光刻胶去除剂研发。

  执行期限:2022年6月30日前完成。

  经费额度:本方向非定额资助。

  申报主体资质条件:本市企业。企业投入研发经费与申请资助经费之比不低于2:1。

  方向2.集成电路制造关键技术

  研究目标:突破集成电路制造工艺模块开发和工艺整合关键瓶颈,掌握具有自主知识产权的工艺技术,支撑先进工艺生产线建设和量产能力提升。

  研究内容:大面阵、高动态CMOS图像传感器工艺研发提升。

  执行期限:2021年6月30日前完成。

  经费额度:本方向非定额资助。

  申报主体资质条件:本市企业。企业投入研发经费与申请资助经费之比不低于2:1。

  方向3.核心芯片器件、模块及其应用

  研究目标:与汽车等优势产业和应用需求紧密结合,持续推动核心产品的产业链上下协同创新,突破芯片、模块自主设计、制造和应用关键技术。

  研究内容:(1)750V/250A以上功率等级IGBT芯片、模块开发及新能源汽车示范应用。(2)高能氢注入沟槽场中止IGBT工艺开发。(3)碳化硅功率器件、光导开关器件研发和应用。(4)车规级集成电路芯片及相应传感器、控制器研发并小批量试装验证。(5)面向第四代PCIe通讯的超高速时序整合芯片研发与产业化。(6)汽车级EEPROM研发与应用。

  执行期限:2022年6月30日前完成。

  经费额度:本方向非定额资助。

  申报主体资质条件:本市企业。企业投入研发经费与申请资助经费之比不低于2:1。

  专题二、前瞻和共性技术研究

  方向1.集成电路前沿理论与技术

  研究目标:面向高性能非易失存储与低功耗计算的基础问题,探索新材料、新结构和新原理,实现超高速低功耗非易失存储与计算,完成原型器件验证。

  研究内容:研究非易失存储中的载流子微观输运机制,探索其在存算一体化和神经形态计算等方面的应用。

  执行期限:2022年6月30日前完成

  经费额度:本方向非定额资助

  申报主体资质条件:本市独立法人单位。

  方向2.集成电路新器件、新工艺、新方法研究

  研究目标:面向未来电子学对更多功能集成智能微系统芯片的重大需求,突破材料级、器件级、系统级一体化微纳集成芯片技术,为下一代智能集成微系统芯片提供支撑。

  研究内容:三维异质集成设计与制造关键技术研究及芯片验证。

  执行期限:2022年6月30日前完成。

  经费额度:本方向非定额资助,每个研究内容支持不超过2项。

  申报主体资质条件:本市独立法人单位。企业牵头项目企业投入研发经费与申请资助经费之比不低于1:1。

  二、申报要求

  除满足前述相应条件外,还须符合以下要求:

  1.项目申报单位应当是注册在本市的独立法人单位;项目负责人应当受聘于项目申报单位,受聘期覆盖项目实施周期。

  2.研究内容已经获得市级或区级财政资金支持的,不得重复申请财政资金支持。

  3.作为项目负责人承担的市科委科技计划项目有2项及以上尚未验收的,不得再作为项目负责人申报。

  4.项目申报单位、项目负责人和参与人应当符合科研诚信管理要求。项目申报单位应当对申报材料的真实性和完整性进行审核,不得含有涉密内容。

  5.项目经费预算编制应当真实、合理,符合市科委科技计划项目经费管理的有关要求。

  6.如要对评审专家提出回避申请的,项目申报单位应当在提交申报材料时,提出回避名单(不超过3人)及理由。

  7.要求申报单位在申报的研究内容相关领域有较强的团队和技术基础。鼓励联盟、功能型平台组织产业链上下游联合申报。优先支持市区联动扶持项目。