高新发展拟收购森未科技和芯未半导体控股权 将功率半导体作为战略转型突破口

　　上证报中国证券网讯（记者 邱德坤）高新发展6月19日晚公告称，公司及全资子公司倍特开发拟以现金2.82亿元购买森未科技股权及其上层股东权益。交易完成后，公司以直接和间接方式控制森未科技69.401%的股权。同时，公司以现金195.97万元，购买高投集团持有的芯未半导体98%股权。
　　今年是国企改革三年行动计划的收官之年，众多国企借助资产整合转向低碳化、科技化，而高新发展的实际控制人是成都高新技术产业开发区管理委员会。高新发展表示，公司拟借助收购森未科技的契机，将功率半导体作为战略转型突破口，通过确立新主业方向围绕相关产业进一步投入，拓展盈利增长点。
　　森未科技定位于功率半导体领域，专注IGBT等功率半导体器件的设计、开发和销售，是推动我国IGBT功率半导体国产化进程的创新企业。公司核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组成，在功率半导体的专业领域经验累积均超过15年，目前专职研发人员超过20名，研发人员占比超过40%。
　　同时，森未科技拥有包含近100个不同芯片规格的IGBT芯片库，产品电压等级覆盖600-1700V，单颗芯片电流规格覆盖5-200A，对标全球IGBT龙头英飞凌的同类芯片产品，以通用产品支撑规模，以高端产品实现高附加值。
　　近年来，在电动车、光伏风电、变频家电等下游需求拉动下，IGBT行业保持快速增长态势。第三方机构统计数据显示，预计2024年功率半导体的全球市场规模将达538亿美元；中国作为全球最大的功率半导体消费国，预计2024年市场规模达197亿美元，占全球市场规模的36.6%。
　　而芯未半导体作为森未科技打造Fab-lite模式的重要载体，将建设功率半导体器件局域工艺线和高可靠分立器件集成组件生产线。其中，功率半导体器件局域工艺线，注重超薄晶圆和高能注入等特色工艺研发攻关，是IGBT产品核心竞争力的重要工艺支撑。
　　未来，随着功率半导体器件局域工艺线和高可靠分立器件集成组件生产线的建设完成，森未科技将拥有IGBT等功率半导体芯片工程研制能力和集成组件封装能力，与标准晶圆及封装委外加工相结合，以相对较低的投入规模获得生产效率及产品竞争力的提升。
　　高新发展表示，本次交易完成以后，公司将具备功率半导体IGBT的研发及设计能力，主营业务将会增加功率半导体设计与销售等业务。届时，公司将转变为半导体研发、制造、销售企业，发展为具有高技术门槛、高盈利水平、高资产质量特征的高新技术企业。